고성능반도체 저유전물질 개발 서울대 차국헌 교수팀
- 기사입력 : 2003-06-25 00:00:00
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- 서울대학교 차국헌 교수팀은 중앙처리장치(CPU)급 반도체와 시스템 온 칩
(SoC)등 고성능 반도체의 성능을 개선할 수 있는 저유전(단전) 물질을 개발
했다.
반도체의 배선 공정에서 전력을 적게 소모하면서 층간 단전효과를 높임으
로써 성능이 좋은 반도체를 만들 수 있는 저유전(低流電) 물질을 개발했다.
현재 반도체의 주종을 이루는 D램의 경우, 2층 구조를 갖고 있지만 차 교
수팀이 개발한 기술은 이보다 성능이 좋은 8층 정도의 구조를 갖춘 CPU급
반도체를 제작할 수 있는 기반 기술이다.
반도체가 고집적화 할수록 층(層) 수가 많아지면서 층간 전력 누출현상
이 심해지지만 차 교수팀은 실리콘과 비실리콘계 혼합물을 섞은 유기 실리
케이트로 제작된 나노기공(氣空)형성수지를 이용, 반도체 층간에 절전율이
높은 층을 형성토록함으로써 층간 유전율을 대폭 낮춰 고성능 반도체를 제
작할 수 있는 기반을 마련했다는 것이다.
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